Содержание
В прошлой части мы с вами смотрели на то, как стоит для повседневной работы разгонять современные процессоры, и получили прирост на i9 9900k от 2 до 12% в зависимости от задачи повысив TDP с 95 до 145 Ватт.
И закончил я видео сказав, что в тестах я использовал довольно посредственные планки памяти. У них стоял XMP профиль на 3 ГГц не с супер низкими таймингами и тогда же я пообещал, что мы посмотрим — что важнее разгон памяти или разгон ядер.
Само собой в реальности, если хочется увеличить производительность, то надо делать и то и другое.
Но «что будет вносить больший вклад в созданных условиях» — большой вопрос.
Ответить на этот вопрос нам поможет свеженький комплект памяти 2 по 8 Гигов, которые мне предоставила компания патриот.
В память записано два XMP профиля, на 4400 и на 4266 МГц.
Вообще выбирая себе частотные планки стоит понимать, что не любой процессор может потянуть выше 4 ГГц по памяти, кроме того и материнская плата может с этим не справиться. И 4400 могут быть проблемой для всех процессоров кроме двух последних линеек райзенов и то уже с делителем на инфинити фабрик, i9 девятого поколения от intel. а так же процессоров десятого поколения intel. В общем — для этого на плакнах есть профиль на 4266 МГц, который запуститься и на процессорах и материнских платах попроще.
Так же и не любые платы смогут обеспечить стабильную передачу сигнала и автоматический подбор субтаймингов на высокие частоты. У меня в тесте ASUS maximus gene 11. Но покупая частотные планки стоит на сайтах производителей ещё убедиться, что производитель памяти считает вашу плату поддерживаемой для этой памяти.
В общем — на всякий случай я предупредил вас, что частотный XMP профиль — это не гарантия того что он у вас заработает. Но частотный XMP профиль — это гарантия того, что если другие компоненты системы потянут, то память на этой частоте запуститься.
Во второй части видео мы посмотрим на прирост от разгона памяти в сравнении с простым комплектом на 3 ГГц.
За счёт чего происходит разгон памяти?
Но для начала всё же разберемся как вообще разгонять память, естественно, кроме как используя XMP профиль.
Это видео не будет гайдом по разгону. Не думаю, что у меня на это есть достаточно опыта, чтобы делать гайды. Да и в общем-то никаких тайн и секретов нет. Более подробнее практический опыт описан в теме на форуме оверклокерс.ру.
Но всё же общую суть и физику самого процесса я расскажу.
У нас есть глобально три устройства, которые отвечают за реализацию разгона.
Первый — это сама оперативная память.
Второй — контроллер памяти, который в современных процессорах встроен в сам центральный процессор.
Кроме того между этими устройствами есть связи, проходящие через материнскую плату.
И у памяти есть два глобальных параметра.
Первый — это частота, с которой память может работа.
Второй — это скорость исполнения команд самой памяти.
Частоту могут ограничивать все три компонента системы, то есть и сама память и контроллер процессора и не идеальность материнской платы.
А вот скорость обработки команд может ограничивать уже только сама память.
Коротко расскажу, как это всё работает, чтобы вы понимали суть того что мы будем делать при разгоне.
Что такое тайминги памяти, зачем они нужны и какие есть ограничения для их снижения?
Представьте, что вы — это оперативная память. Сами данные хранятся в огромных стеллажах. В этих стеллажах есть полки. На каждой полке много разных книг, в книгах есть страницы, и на этих страницах есть строки. Ваша работа — это получить от начальника информацию о том, что за часть данных нужна, далее определить в каком стеллаже, на какой полке, в какой книге и на какой строке эти данные находятся. Затем подойти к нужному стеллажу и открыть его, там открыть нужную полку, вытащить из этой полки нужную книгу, открыть книгу на нужной странице, найти нужную строку, прочитать её, вернуться к начальнику и сказать ему, что там было записано. Ну либо наоборот — начальник требует записать какую-то информацию, вы должны её записать в свободное место и занести в журнал расположение этой информации, чтобы потом, когда эти данные надо будет прочитать вы могли по этому журналу понять в каком месте эти данные записаны.
В общем — всё просто.
Но сложность в том, что у вас нет собственного мозга для того чтобы делать все действия самостоятельно и слаженно. То есть каждую задачу вы выполняете поэтапно только по требованию начальника. То есть дошли до стеллажа, ждёте команду на открытие этого стеллажа, открыли стеллаж, ждёте команду на открытие полки и т.д. В общем — работник вы так себе.
Но интереснее то, что и начальник не знает успели вы сделать предыдущий этап — или не успели.
То есть вы могли ещё не дойти до нужного стеллажа, а начальник уже скажет вам, что надо открыть определённую полку. Вы, идя к стеллажу, делаете в воздухе движения руками, как будто вы открываете полку на стеллаже, потом уже когда подошли к стеллажу, вам дают команду открыть нужную книгу, вы пытаетесь взять книгу через закрытую полку и т.д. Естественно в таком случае запись или чтение произвести не удаться.
Иными словами — для нормальной работы начальнику нужно заранее знать сколько времени у вас уходит на то, чтобы подойти к стеллажу, открыть полку, и т.д. И при подачи вам команд — засекать время перед подачей новой команды так, чтобы вы и долго не простаивали и так, чтобы вы успевали выполнить прошлую команду, то есть в идеале надо практически мгновенно после выполнения прошлой команды получали следующую.
В общем-то разгон памяти и заключается в том, чтобы организовать работу памяти так, чтобы все простои между подачей команд памяти сделать такими, чтобы минимизировать простои.
У оперативной памяти внутренняя иерархия по сути такая же как и в моём примере.
И памяти надо по очереди активировать на пути к нужным данным все эти уровни по очереди один за другим. И на каждом из уровней активация занимает какое-то время для прохождения физических процессов, в основном это накопление нужного заряда до рабочих значений напряжений. То есть в моем примере вы физически ходили, а в реальности — это накопление необходимого заряда до рабочих значений. Из-за которых между командами нужно отступать временные отрезки.
А время между подачей определённых команд называется таймингами.
Правда тайминги эти указываются не в секундах, а вернее в наносекундах, а указываются они в количестве тактов.
То есть, допустим. на частоте выдачи команд 1 МГц — тайминг “единица” — это 1 миллионная секунды.
тайминг — “двойка” — это две миллионные секунды.
А допустим на частоте 2 МГц тайминг “единица”, — это половина миллионной секунды, а тайминг двойка — это одна миллионная секунды.
То есть на частоте 1 МГц тайминг единица — равен таймингу двойка на частоте 2 МГц.
Собственно — разгон памяти без изменения напряжения на память не позволяет ускорять переходные процессы в памяти.
Поэтому с ростом частоты — приходится пропорционально увеличивать и задержки, то есть тайминги.
И, допустим, если вы подобрали минимальные тайминги на частоту 2 ГГц, то в идеальном мире вы можете взять частоту 4 ГГц просто увеличив тайминги в два раза.
Но увеличив частоту — мы получаем два бонуса — первый бонус заключается в том, что память, на самом деле, работает параллельно с несколькими банками и ранками, то есть может не снимать питание с определённых участков, так что часть команд можно будет пропускать при обращениях к недавно задействованным элементам, и тут уже важнее становиться теоретическая возможность каждый такт передавать целевую информацию. И если частота выросла в два раза — то можно передать целевой информации в два раза больше. В идеальном мире, конечно, на практике — задержки и сложная иерархия памяти такое не позволяет реализовывать в полной мере.
А второй бонус — что у нас снижается дискретизация времени между соседними значениями тайминга.
Допустим если на частоте 1 МГц между таймингом 1 и 2 разница 1 миллионная секунды, то на частоте 2 МГц — разница между таймингом 1 и 2 — половина миллионной секунды.
И если переходной процесс занимал в реальности полторы миллионных секунды, то на частоте 1 МГц нужен будет тайминг — 2, потому что с единицей работать не будет, тогда как на 2 МГц — нужен будет тайминг 3, который и даст необходимые для ожидания полторы миллисекунды.
То есть из-за увеличения разрешающей способности таймингов — можно ближе подобраться к минимальному времени рабочих задержек.
То есть выжить все соки из скорости памяти более качественно.
На практике всё, конечно, не так радужно. Память при приближении к её предельным рабочим частотам перестаёт быть на 100% отзывчивой, и к максимальной частоте — реальные тайминги, выраженные в наносекундах начинают уже увеличиваться, то есть увеличение таймингов к частоте перестаёт быть зависимыми.
И задача разгона — найти ту частоту — в которой эта зависимость ещё сохраняется и уже тонко подстроить все тайминги так, чтобы между командами память не простаивала более, чем нужно для протекания переходных процессов.
Ну, и, конечно, переходные процессы можно ускорить.
Исходя их природы этих процессов — то есть процессов зарядки и разрядки — очевидно, что увеличив напряжение питания — эти процессы начинают протекать быстрее.
То есть увеличивая напряжения — можно добиться того, что память начнёт нормально работать на меньших значениях таймингов при той же частоте.
Алгоритм действий, который я рекомендую для разгона памяти
В общем — подводя итоги по тому что надо сделать для разгона.
Первое — это изначально выбрать напряжение для памяти. Напряжение это зависит от радиаторов памяти и ваших собственных ограничений по тому сколько вы готовы набрасывать.
У меня память с толстыми радиаторами и оребрением, которое позволяет увеличить площадь теплоотвода, плюс довольно холодная 20нм память от Samsung. И для этих планок я выбрал безопасным напряжение 1,52 Вольта. При которых память не будет у меня вне корпуса греться выше 50 градусов. В корпусе, это было бы несколько выше, но в целом — до 60-65 градусов на чипах — память ещё не начинает терять в скорости переходных процессов. Но надо помнить, что с ростом температуры — потери стабильности есть, так что на планках под приличный разгон — радиаторы нужны не только для красоты. Тут радиаторы достаточно эффективные для напряжений выше рекомендуемых.
Но ставить сразу то напряжение, которые вы хотите получить я не рекомендую. Так например я в процессе разгона ставил 1,5 Вольта, чтобы потом чуть-чуть набросить напряжение для стабильности.
Если у вас горячие чипы или тонкие радиаторы — то ваш предел по напряжению будет на DDR4 между 1,35 и 1,4 Вольта.
Далее задача — на любой частоте подобрать основные тайминги, оставив субтайминги на значении авто (на высоких частотах памяти материснкие платы могут ставить «авто» не верные значения, так что этот метод для типичных частот для вашей платформы). Понятное дело, что чем ближе будет частота к будущей целевой, тем быстрее будет пройден весь разгон.. Подбор основных таймингов довольно простое занятие. Снижаете их по одному пока снижение каждого из них не приведёт к тому что в программе test Mem не начнут возникать ошибки. И постепенно увеличиваете частоту, меняя тайминги пропорционально частоте. Это можно пропорциями считать и вручную, можно и в икселе например. Опять же — в теме на ру оверах есть в шапке темы ссылки на экселевские файлы, где есть пересчитывалка таймингов при смене частоты. И так увеличиваете частоту пока линейное приращение таймингов к росту частоты продолжает работать. Как только линейное приращение работать перестаёт — значит вы достигли той частоты, на которой лучше всего будет показывать себя память и именно на ней следует уже вручную крутить остальные тайминги и субтайминги.
Касаемо intel. На процессорах 6 и 7 поколения надо уже с частоты памяти 3700-3800 МГц задавать два дополнительных напряжения в ручную. Это напряжение — на контроллер памяти, оно же Vccio, то есть ту штуку, которая отвечает за передачу команд памяти и отправку и принятие данных, а так же напряжение на системный агент (SA), это внеядерная часть процессора, в которую входит в том числе и контроллер памяти.
На частотах ниже 4 ГГц обычно эти напряжения не будут превышать 1,2 Вольта, и как правило это чуть выше стоковых 1,05 Вольта бывает, и надо их задавать вручную чтобы материнские платы не задирали эти напряжения к полутора вольтам. В общем-то активируя и высокочастотные XMP профили тоже стоит смотреть на то, что материнские платы набрасывают на агент и контроллер памяти.
С райзенами — тут я, к сожалению, опыта большого не имею, так как последний процессор у меня был 2400 G, где памятью удалось очень сильно поднять производительность встройки.
Но было это давно. Реалии настройки плат под современные райзены, смотрите в тематических темах или других видео в ютубе.
Вдобавок надо помнить и то, что на райзенах с частоты 3800 МГц включается делитель на инфинити фабрик и в целом — подбирать надо будет субтайминги именно на частоте 3800 МГц или как обещают для 5 тысячных разйенов — 4 ГГц.
На intel же проблемы с контроллером память начинаются, в зависимости от поколений и удачности конкретного экземпляра процессора на частотах от 4 до 4,5 ГГц. У меня процессор не самый удачный в части контроллера и мне, например, для 4,4 ГГц нужно напряжение уже почти 1,3 Вольта на контроллер, что многовато. Строго не рекомендуется установка напряжений на эти два компонента выше 1,35 Вольта.
Но в любом случае — предельно низкое напряжение контроллера и агента ставить надо уже после разгона, то есть в процессе разгона — выставлять надо избыточные значения этих напряжений чтобы точно ограничивать разгон не контроллером процессора, а самой памятью.
И, что касается, программы тест мем, она контролер нагружает очень слабо. То есть недостаток по напряжению на контроллер и агент эта программа надёжно оттестировать не может.
Что касается субтаймингов. Тут сложность в том, что это значения друг от друга зависимые. То есть нельзя снижать их по одному по очереди, как основные тайминги. Надо применять сразу целый пакет настроек. То есть менять сразу много.
Для райзенов есть программа райзен DRAM калькулятор, где собраны уже подходящие конфигурации под разные ревизии памяти, от которых и можно будет начинать разгон, для Intel есть экселевские считалки субтаймингов. Либо вы можете просто в самой теме шариться, пока не найдёте скрины человека с памятью, как у вас и с основными таймингами похожими на те, что смогла выжать ваша память. И просто содрать значения субтаймингов с чужого скриншота. Собственно — тема со скринами на ру овере и результатами — для того там и нужна.
В этом деле мне лично вспоминается таблица изотопов химических элементов в которой есть так называемый остров стабильности, для которого предсказано существование новых химических элементов.
Так вот — используя программы или таблицы для расчётов субтаймингов ваша задача попасть в этот остров стабильности для вашей памяти.
И как только вы в этот остров стабильности попали начинать снижать субтайминги вручную контролируя нормальную работу памяти не только по тест мему, но и используя тест скорости памяти в AIDA64 и я ещё использую тест производительности в Win-rar, он очень чувствителен к задержкам памяти. В теории — чем ниже субтайминги — тем лучше. Но в целом — иногда возникают какие-то конфликтные сочетания субтаймингов, так как они друг от друга зависимые и скорость работы памяти падает без потери стабильности.
Вообще менять вручную все субтайминги и не надо.
Для начала — половина субтаймингов — это ожидания для переключения между планками памяти и между ранками памяти. Это субтайминги с буквами DD и DR в названии.
Допустим, если у вас по одной планке на канал и сами планки одноранковые, то в эти субтайминги можно ставить что угодно. Можете хоть ноль, хоть своё любимое число. На работу компьютера это влиять никак не будет. Естественно можно оставить и на авто.
И процесс разгона памяти — очень приятен на хороших платах, которые не тупят когда виснут, а при поиске предела — синьки, и стопорение на инициализации компьютера при перезагрузках будут частыми гостями.
Поэтому после каждого изменения надо делать тесты стабильности, и постоянно сохранять текущий стабильный профиль разгона памяти.
Если нет планов получить, так скажем, последние пол процента производительности, то из субтаймингов на intel надо менять только эти: tRRDL tRRDS tRFC tREFI tWR tRTP tFAW. При этом не все являются зависимыми, так что, например, tRFC и tREFI (единственный в котором «больше-лучше») можно менять так же произвольно как и основные тайминги просто до сохранения стабильности.
Кроме того, если будите использовать тот же конфигурационный файл для тест мема, что и у меня, то в первой партии настроек сразу урезайте tFAW. Его по дефолту материнские платы на высоких частотах ставят за 50, а рабочие значения всегда ниже 20. И уменьшение этого значения сильно уменьшает время прогона тест мема. Он проходится быстрее процентов на 30, что в масштабах всего разгона памяти может выйти в экономия часа времени, а то и больше.
Возвращаясь к длительности разгона: в процессе его осуществления вы нащупаете такие значения, что вот почти есть стабильность, всё работает, но вот чуть-чуть бы ещё стабильности и ошибок не будет, а в остальном и так всё работает и в играх и в программах. Именно для этого я ранее писал, что надо ставить напряжение, чуть ниже, чем финальное. 10-20 милливольт в последствии и дадут вам эту недостающую стабильность и вам не придётся скидывать на единицу в том числе и основные тайминги.
Ну и приятная часть разгона заключается в том, что тепловыделение системы практически не меняется, а производительность начинает расти.
Результаты
На этом мы переходим к практической части разгона и посмотрим на полученные результаты.
К сожалению — полученные в прошлой части 5,2 Адаптив модом с офсетом с разгоном памяти стали нестабильными на том же напряжении, всё же — более плотная нагрузка на процессор из-за меньших простоёв с быстрой памятью сказывается на сложности работы процессора. Конечно 5,2 Всё ещё можно получить, но на более высоких напряжениях и для той же производительности с большим теплопакетом, что нарушает логику разгона на постоянку.
Так что всё переигрываем на 5,1 ГГц. Естественно с тем же теплопакетом в 145 Ватт.
То есть от стока система так и будет отличаться на 50 Ватт, как и в прошлой части.
Получается систем будет 4.
Первая — сток процессор, память XMP профиль на 3000 МГц.
Вторая система — процессор разгон — память такая же на 3000 МГц.
Третья система — процессор разогнан память XMP профиль на 4400 МГц на новом комплекте памяти
И четвёртая система — процессор разогнан, память в максимальном разгоне, что вышел для этих планок, и вышел он на частоте 4266 МГц.
Что касается тестов в играх — тут есть некоторые сложности. Я тестирую игры с максимальными настройками, но без сглаживания и в сниженном разрешении, если это требуется для тестов процессора, чтобы избавиться от упора в видеокарту RTX 2070. И из теста выбывает игра The Division 2, так как с разгоном памяти система слишком производительная и без снижения настроек графики ибавиться от упора в видеокарту не получается даже на разрешении 1024х768 с половинным масштабом разрешения. Так же есть подозрения что в игре Shadow of the Tomb Raider в некоторые моменты так же с разгоном памяти система ограничивалась видеокартой.
Перед играми ещё раз посмотрим на бенчмарки.
Для начала тесты в AIDA64.
Память 3000 МГц в стоке процессора.
Скорость и чтение около 45000 МБ/с, задержки 48 наносекунд.
С разгоном процессора, напомню, ещё разгонял я и кольцевую шину и кеш, что так же ускоряет и реальную скорость работы памяти.
Прибавилось примерно по 1000 МБ/с и немного уменьшились задержки памяти.
XMP профиль на 4400 МГц на разогнанном процессоре дают уже под 60000 МБ/с и задержки снизились до 43 нс.
Ну и последний профиль — с ручным разгоном на частоте 4266 МГц с подбором некоторых субтаймингов.
Добавилось ещё около 3-х тысяч МБ/с, задержка упала ниже 40 нс.
Win-rar.
Его бенчмарк очень любит низкие задержки памяти.
Разгон процессора дал прирост около 5%.
Смена памяти с 3 до 4,4 ГГц дала ещё 1,5% пророста.
Ручной подбор субтаймингов и таймингов на частоте 4266 МГц памяти позволил увеличить производительность в сравнении со стоком на без малого 20%.
Возникает закономерный вопрос — почему же такой слабый прирост от смены памяти и такой большой от подбора субтаймингов, да ещё и на более низкой частоте памяти.
Причин тут несколько.
Во первых — естественно ручной разгон памяти позволяет более качественно получить потенциал памяти.
А причина низкого прироста от смены памяти заключается в том, что мне пришлось сильно повысить энергопотребление процессора из-за высоких напряжений на агент и контроллер памяти. А, напомню, что разгоняли мы процессор существенно ограничивая его TDP, в общем-то в этом и был смысл видео про разгон на постоянку. То есть часть ограниченного TDP отъел контроллер памяти, ну и, конечно, с более быстрой памятью процессор на той же частоте начинает потреблять больше энергии в силу уменьшения простоев процессора в ожидании данных — собственно, что и является причиной роста производительности.
При этом мой процессор может с памятью на 4266 МГц работать по напряжению на контроллер почти как у стока, а на 4400 на уже высоких напряжениях. В общем — причина тут не в памяти как таковой, а в ограниченном условиями тестов TDP, и то что этот TDP отбирает контроллер в процессоре.
Более показателен был, например, 3D Mark TS. И, кстати, в этом этот бенчмарк ещё и показывает, что хоть он и имитирует игровую нагрузку, но всё же — он далёк от реальных задач.
В CPU тесте от смены памяти на более производительную с XMP профилем на 4400 МГц производительность вообще упала.
В традиционном разгоне с фиксацией частот, такого эффекта, конечно не будет. Но у нас сейчас именно такие условия.
С ручным разгоном памяти в сравнении со стоком я получил прирост в 13%.
Результаты в играх
Я уже ранее писал, что есть неуверенность относительно Shadow of the Tomb Raider. Но даже с возможными временными ограничениями в видеокарту просто разгон процессора дал прирост в примерно в 6%, а разгон и ядер и памяти дал прирост в 18%.
Ну и тут уже при росте TDP процессора на 40% — прирост производительности на 18% — это уже приличный результат.
Другие игры рассмотрим уже более детально.
World War Z. Просто разгон ядер дал прирост около 6%. Разгон со сменой памяти на быструю увеличил прирост до почти 9%.
А ручной разгон памяти приводит уже к росту от стока чуть более чем на 19,5%.
Тут стоит пристально обратить внимание на график времени кадра.
Видно, что несмотря на то, что синхронизация отключена — вывод кадров происходит с дискретным времением, что также могло сказаться на результатах, то есть простая смена памяти не позволила достаточно часто перескакивать на более низкий уровень времени кадра, а ручной разгон — позволял.
С этим связано столь нелинейное изменение производительности от дополнительного разгона памяти.
Если посмотреть на графики распределения времени кадра, то на них тоже видно неестественные для этого графика ступеньки.
Напомню что этот график рассказывает о том как часто какие по длительности кадры встречаются в тесте.
Ну и так же — многие любят значения меньших 1 или 5% (они же 99%, 95%).
В этом графике вы можете получить любые значения для любых этих процентилей, а 50% — это медианное значение.
Но тут, в связи с особенностями игры, эти графики несколько не способны отражать реальность.
И последняя игра в тесте — Far Cry 5.
Просто разгон процессора позволил получить примерно +3,5% прироста, смена памяти увеличила этот прирост до чуть более чем 8%, а ручной разгон памяти позволил увеличить эту цифру до почти 16,5%.
График распределения тут показывает, что в целом, на большей части значений мгновенных FPS смена памяти на ту что с профилем на 4400 МГц позволила добиться прироста сопоставимого с разгоном ядер, и только в области высоких FPS — разгон памяти оказывает большее влияние, чем разгон ядер.
Ручной разгон памяти — позволил добиться существенного роста производительности в сравнении с остальными тестами.
Итоги
Во первых — естественно при разгоне гнать надо всё.
Но разгон памяти при этом — более безвреден в части энергоэффективности системы.
В прошлой части — увеличив энергопотребление системы я получил прирост от 2-х до 12% в зависимости от задачи.
Сейчас же, разгоняя и память и ядра получил при том же росте потребления на 50% прирост производительности от 10 до 20% в зависимости от задачи.
Ну и в целом, учитывая, что 50% прироста тепловыделения — это не плюс 200-300 Ватт ко всей системе, а плюс 50 Ватт — прирост в 10-20% выглядит вполне эффективным и в части энергоэффективности, безусловно, разгон памяти существенно более предпочтителен, чем разгон ядер, а в части абсолютного прироста — разгон ядер и памяти на i9 9900k вышли примерно равнозначными и в одних задачах больший эффект дал разгон ядер, а в других, в частности в играх — разгон памяти. Если говорить только про игры, то конечно, в реалиях когда процессоры уже с завода выходят практически без возможности разгона, да ещё и с большим числом ядер всего на два канала памяти — разгон памяти играет большую роль, чем разгон ядер.
В целом — если говорить про стоковые планки DDR4, то полученные планки в разгоне примерно достигли скорости работы 4-х канальной памяти всего на двух каналах. 16 ядерные райзены частично спасает большой кеш, если говорить про два канала памяти, но всё равно и на 16 ядер на райзене и на 8 или 10 в intel — два канала памяти — это очень мало. Отсюда и прирост на 20% в некоторых задачах.
Ну и в данном тесте были планки с чипами от самсунг B-Die. Это лучшие чипы на DDR4 памяти. И тут я предлагаю поднять вопрос — а на сколько один B-Die может отличаться от другого. Например у меня в материнской плате есть пресеты настроек под B-Die, есть настройки в райзен DRAM калькуляторе под B-Die. Но никогда лично мне ничего из этого готового не подходило. Сейчас же у меня есть 3 комплекта би дай памяти одноранковой 2 модуля по 8 гигов.
И скажу, что этот комплект от патриот намного лучше моего первого комплекта.
А есть у меня ещё и третий комплект, который я недавно купил.
В общем — имеется возможность узнать — насколько высок разброс B-Die, который я покажу в одной из будущих статей.
Опечатка в самом начале статьи: «плакнах»